DKDP Pockels Cells
高电光系数:确保高效的电光转换。
传输范围广:从 0.3 到 1.1 μm 的良好透射率。
低电容和快速上升时间:确保快速高效的操作。
高氘化 (>98%):增强了性能和稳定性。
高传输率和消光率:优化激光器性能。
应用: 普克尔斯电池、Q 开关、高功率激光器等
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高电光系数:确保高效的电光转换。
传输范围广:从 0.3 到 1.1 μm 的良好透射率。
低电容和快速上升时间:确保快速高效的操作。
高氘化 (>98%):增强了性能和稳定性。
高传输率和消光率:优化激光器性能。
应用: 普克尔斯电池、Q 开关、高功率激光器等
Electro-Optic Characteristics: Large electro-optic coefficients make these crystals ideal for Q-switches and phase modulators.
Non-Deliquescence: Maintains stability in different environments.
Transmission Range: Good transmission up to 4.0 µm.
Low Half Wave Voltage: Operates efficiently at lower voltages in the transverse mode compared to KD*P Pockels cells.
High Damage Threshold: Especially when doped with MgO, increasing resistance to damage.
Applications: Electro-Optical Modulators, Q-Switches, Phase Modulators, Pockels Cells, etc.